• 英特尔首席执行官表示到2030年英特尔将制造出拥有1万亿个晶体管的芯片

    英特尔首席执行官表示到2030年英特尔将制造出拥有1万亿个晶体管的芯片英特尔首席执行官帕特·基辛格宣布,该公司将于2030年生产出拥有1万亿个晶体管的芯片,这将是目前最先进芯片的1000倍。基辛格表示,这一突破将使英特尔能够制造出更加强大、更高效的芯片,从而推动人工智能、自动驾驶和物联网等新兴技术的发展。英特尔已投资数十亿美元来开发新的芯片制造技术,包括纳米级制造和光刻技术。该公司还与IBM和三星等其他公司合作,以加速新技术的开发。基辛格表示,英特尔的目标是在2030年之前将芯片的晶体管数量增加1000倍,这将使该公司能够制造出更加强大、更高效的芯片。这一突破将使英特尔能够为人工智能、自动驾驶和物联网等新兴技术提供更加强大的计算能力。英特尔已投资数十亿美元来开发新的芯片制造技术,包括纳米级制造和光刻技术。该公司还与IBM和三星等其他公司合作,以加速新技术的开发。基辛格表示,英特尔的目标是在2030年之前将芯片的晶体管数量增加1000倍,这将使该公司能够制造出更加强大、更高效的芯片。这一突破将使英特尔能够为人工智能、自动驾驶和物联网等新兴技术提供更加强大的计算能力。...

    2024-01-08 英特尔芯片性能排行榜 英特尔芯片几代了?

  • 《Sb基高电子迁移率晶体管》武利翻著|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《S基高电子迁移率晶体管》【作者】武利翻著【页数】108【出版社】西安:西北大学出版社,2019.09【ISBN号】978-7-5604-4429-1【价格】36.00【分类】高电子迁移率晶体管-研究【参考文献】武利翻著.S基高电子迁移率晶体管.西安:西北大学出版社,2019.09.图书封面:《S基高电子迁移率晶体管》内容提要:本书分为五个部分,即S基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、IAAlSHEMT器件制作工艺。本书可被从事S基高电子迁移率晶体管的研究人员作为参考书。...

    2023-12-12

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